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可控硅的伏安特性

发布时间: 2022-07-01 11:41:26    人气:24 次

可控硅的伏安特性是指可控硅的阳极A和阴极K之间的电压与可控硅的阳极电流之间的关系。香蕉视频网站下载一种大功率电器元件,也称香蕉视频网站下载。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中,可作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。可控硅通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。降压硅链香蕉视频好色版输入信号与TTL和COMS数字逻辑电路兼容。正向特征在第一象限,反向特征在第三象限。

(1) 反向特性

当栅极G开着,外加反向电压时,J2结正偏,而J1,J2结相反。当电压进一步升高到J1结雪崩击穿电压时,J3结击穿,电流迅速增大。图2特征曲线的或截面开始弯曲。弯曲处的电压Uro称为“反向转动电压”。可控硅将反向击穿。

(2) 正向特性

当栅极G打开,阳极A加正向影响电压时,j1和j3结偏压为正,而j2结偏压为负,这与香蕉视频污软件下载普通pn结的反向传播特性进行相似,只能可以通过一个很小的电流。这称为中国正向阻塞管理状态。当电压水平升高时,特性变化曲线的OA段开始出现弯曲。弯曲处的电压Ubo被称为“正向旋转工作电压”。

当电压上升到J2结的雪崩击穿电压时,在J2结上产生大量的电子和空穴。电子进入N1区,空穴进入P2区。进入n1区域的电子与通过p1区域的j1结注入到n1区域的空穴重新结合。同样地,进入P2区域的空穴与通过N2区域的J3结注入到P2区域的电子结合。雪崩击穿后,进入N1区的电子和进入P2区的空穴并不全部合并。因此,n1区有电子积累,p2区有空穴积累。因此,p2区电位的增加在n1区减小,j2结成为正偏置。只要电流略有增加,电压就会迅速下降,从而产生所谓的负电阻特性,如图2的虚线AB部分所示。此时,J1、J2和J3的三个结均呈正偏置,可控硅进入正导电态,具有与普通PN结相似的特征。

(3) 触发导通

当正向电压施加到G栅极时(如图1所示)。 5),由于J3偏压,p2区的空穴进入n2区,n2区的电子进入p2区,形成触发电流IGT。 在香蕉视频网站下载内部正反馈和IGT功能的基础上,提前打开香蕉视频网站下载,使电压-安培特性OA部分向左移动,IGT越大,特性向左移动越快。